11.用萬(wàn)用表歐姆擋測(cè)量小功能率晶體二極管性能好壞時(shí)，應(yīng)把歐姆擋撥到：(　A　)。

　　A.R×100Ω或R×1kΩ B.R×1Ω C.R×10Ω

　　12.晶體三極管工作在飽和狀態(tài)時(shí)，它的IC將：(　C　)。

　　A. 隨IB增加而增加

　　B. 隨IB增加而減小

　　C.與IB無(wú)關(guān)，只決定于Re和VG

　　13.在單管放大電路中，為了使工作于飽和狀態(tài)的晶體三極管進(jìn)入放大狀態(tài)，可采用的辦法是：(　A　)。

　　A.減小IB B.提高 VG 的絕對(duì)值　 C.減少 RC的值

　　14.放大器引入負(fù)反饋后，它的電壓放大倍數(shù)，信號(hào)失真情況是：(　B　)。

　　A.放大倍數(shù)下降，信號(hào)失真加大　 B.放大倍數(shù)下降，信號(hào)失真減小

　　C.放大倍數(shù)增大，信號(hào)失真程度不變

　　15.在正弦波振蕩器中，選頻電路的主要作用是：(　B　)。

　　A.保證振蕩器滿足振幅平衡條件能持續(xù)輸出振蕩信號(hào)

　　B.保證電路滿足相位平衡條件

　　C.把外界的影響減弱

　　16.晶體三極管作為開(kāi)關(guān)器件使用時(shí)，它的工作狀態(tài)是：( A )。

　　A.截止或飽和 B.截止或放大 C.放大或飽和

　　17.邏輯函數(shù)式D+D，簡(jiǎn)化后結(jié)果是：( B )。

　　A.2D B.D C.D2

　　18.

　　A.ABC B.0 C.1

　　19.觸發(fā)器與組合邏輯門電路比較：( C )。

　　A.兩者都有記憶能力 B.只有組合邏輯門電路有記憶能力

　　C.只有觸發(fā)器有記憶能力

　　20.為了提高抗干擾能力，觸發(fā)脈沖寬度是：( B )。

　　A.越寬越好 B.越窄越好 C.無(wú)關(guān)的