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      全國2014年4月高等教育自學(xué)考試電子技術(shù)基礎(chǔ)(三)試題

      來源:考試網(wǎng) [ 2014年6月15日 ] 【大 中 小】

      全國2014年4月高等教育自學(xué)考試

      電子技術(shù)基礎(chǔ)(三)試題

      課程代碼:04730

      請考生按規(guī)定用筆將所有試題的答案涂、寫在答題紙上。

      選擇題部分

      注意事項:

      1.答題前,考生務(wù)必將自己的姓名、準(zhǔn)考證號用黑色字跡的簽字筆或鋼筆填寫在答題紙

      規(guī)定的位置上。

      2.每小題選出答案后,用2B鉛筆把答題紙上對應(yīng)題目的答案標(biāo)號涂黑。如需改動,用橡皮擦干凈后,再選涂其他答案標(biāo)號。不能答在試題卷上。

      一、單項選擇題(本大題共15小題,每小題1分,共15分)

      在每小題列出的四個備選項中只有一個是符合題目要求的,請將其選出并將“答題紙”的相應(yīng)代碼涂黑。未涂、錯涂或多涂均無分。

      1、以下關(guān)于無源元件的描述中,錯誤的是

      A、電阻是無源元件 B、電感是無源元件

      C、電容是無源元件 D、集成運放是無源元件

      2、以下關(guān)于電流源的描述中,錯誤的是

      A、電流源兩端的電壓大小由負(fù)載決定

      B、理想電流源的內(nèi)阻趨于無窮大

      C、兩個輸出電流值不同的直流電流源可以串聯(lián)在一起

      D、理想電流源作用為零時,可等效為開路狀態(tài)

      4、若測得某晶體管放大電路中,晶體管的三個電極電位分別為8V、4V、3.4V,則可判斷

      該晶體管屬于

      A、npn硅管 B、npn鍺管

      C、pnp硅管 D、pnp鍺管

      5、在多級放大電路中,以下關(guān)于輸入電阻和輸出電阻的描述中,正確的是

      A、輸入電阻只取決于最后一級,輸出電阻只取決于第一級放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)

      B、輸入電阻只取決于第一級,輸出電阻只取決于最后一級放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)

      C、輸入電阻和輸出電阻都只取決于第一級放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)

      D、輸入電阻和輸出電阻都只取決于最后一級放大電路的結(jié)構(gòu)和參數(shù)

      6、理想運算放大器虛短與虛斷的具體含義是

      A、虛短:i-=i+,虛斷:u-=u+

      B、虛短:u-=u+=0,虛斷:i-=i+

      C、虛短:i-=i+,虛斷:u-=u+=0

      D、虛短:u-=u+,虛斷:i-=i+=0

      7、反相比例運算電路的負(fù)反饋類型是

      A、電壓串聯(lián)負(fù)反饋 B、電壓并聯(lián)負(fù)反饋

      C、電流串聯(lián)負(fù)反饋 D、電流并聯(lián)負(fù)反饋

      8、三端集成穩(wěn)壓器CW78M12輸出的直流電流是

      A、0.5A B、1A

      C、1.5A D、2A

      9、穩(wěn)壓二極管正常工作時的狀態(tài)是

      A、正向?qū)顟B(tài) B、反向截止?fàn)顟B(tài)

      C、反向擊穿狀態(tài) D、正向擊穿狀態(tài)

       

      11、以下關(guān)于CMOS系列集成門電路說法中,正確的是

      A、主要由場效應(yīng)管構(gòu)成,它的特點是集成度低、功耗低、速度快

      B、主要由場效應(yīng)管構(gòu)成,它的特點是集成度高、功耗低、速度慢

      C、主要由雙極型晶體三極管構(gòu)成,它的特點是集成度低、功耗低、速度快

      D、主要由雙極型晶體三極管構(gòu)成,它的特點是集成度高、功耗低、速度慢

      12、在決定一個事件的所有條件中,只要有一個或一個以上的條件具備時,這個事件就發(fā)生,則該邏輯是

      A、邏輯與 B、邏輯乘

      C、邏輯或 D、邏輯非

      15、簡單可編程邏輯器件PROM的結(jié)構(gòu)特點是

      A、與陣列和或陣列都固定 B、與陣列可編程,或陣列固定

      C、與陣列固定,或陣列可編程 D、與陣列和或陣列都可編程

      非選擇題部分

      注意事項:

      用黑色字跡的簽字筆或鋼筆將答案寫在答題紙上,不能答在試題卷上。

      二、填空題(本大題共15小題,每小題1分,共15分)

      16、加在電容兩端的電壓變化越快,流過電容的電流就越________。

      18、并聯(lián)RLC電路諧振時,其輸入阻抗呈現(xiàn)________特性。

      19、雙極型晶體管的基極電流可以控制晶體管的________電流。

      20、放大器帶負(fù)載能力越強,表明該放大器的輸出電阻越________。

      21、某場效應(yīng)晶體管組成的放大電路,測得其柵源電壓發(fā)生10mV變化時,漏極電流改變了0.2mA,則跨導(dǎo)參數(shù)gm=________mS。

      22、為了降低集成運算放大器的零點漂移,提高共模抑制比,其輸入級通常采用________電路。

      23、若在單限電壓比較器電路中引入正反饋,則這時的電壓比較器稱為________。

      24、由硅穩(wěn)壓二極管組成的穩(wěn)壓電路,正常工作時,在負(fù)載電流不變、輸入電壓增大的情況

      下,流過硅穩(wěn)壓二極管的電流Iz將________。

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      責(zé)編:wuhuirong